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意法(fa)半導體新(xin)推出(chu)的SLLIMM?-nano智能功率(lv)模塊(IPM)引(yin)入(ru)新(xin)的封裝(zhuang)類型，并集成(cheng)更多元器件，加快300W以下低功率(lv)電機驅(qu)動(dong)器研發(fa)，簡化(hua)組(zu)裝(zhuang)過程。

3A和5A 模塊內置當前(qian)*********的600V超結MOSFET，最大(da)限度提升空(kong)氣(qi)壓(ya)縮機、風扇、泵(beng)等設備(bei)的能效。各種直(zhi)列引腳(jiao)或(huo)Z形引腳(jiao)封裝有助于優(you)化空(kong)間(jian)(jian)占用率(lv)，確保所需(xu)的引腳(jiao)間(jian)(jian)距。內部開(kai)孔選項(xiang)讓低價散熱器(qi)的安裝更容易。此外，發射極開(kai)路(lu)輸出分(fen)(fen)開(kai)設計可簡化PCB板單路(lu)或(huo)三路(lu)Shunt (分(fen)(fen)流電(dian)阻)電(dian)流監視(shi)走線。

每(mei)個IPM模塊都包(bao)含由六支(zhi)MOSFET組成的三相半(ban)橋和(he)一個高壓柵驅動芯片。新(xin)增功能(neng)有助于簡化(hua)保(bao)護(hu)(hu)電(dian)(dian)路和(he)防錯電(dian)(dian)路設計，包(bao)括一個用(yong)于檢測(ce)電(dian)(dian)流的未(wei)使用(yong)的運放、用(yong)于高速錯誤保(bao)護(hu)(hu)電(dian)(dian)路的比(bi)較器和(he)用(yong)于監視(shi)溫(wen)度(du)的可選的NTC (負溫(wen)度(du)系數)熱(re)敏電(dian)(dian)阻，還(huan)集成一個自舉二極(ji)管，以降(jiang)低(di)(di)物料(liao)清(qing)單(BOM)成本，簡化(hua)電(dian)(dian)路板布局(ju)設計。智能(neng)關斷電(dian)(dian)路可保(bao)護(hu)(hu)功率開關管，欠(qian)壓鎖保(bao)護(hu)(hu)(UVLO)預(yu)防低(di)(di)Vcc或Vboot電(dian)(dian)壓引(yin)起的功能(neng)失效。

超結MOSFET在25°C時(shi)通(tong)態(tai)電阻只有1.0?，最大(da) 1.6? ，低(di)(di)(di)電容和(he)低(di)(di)(di)柵電荷可最大(da)限度降低(di)(di)(di)通(tong)態(tai)損耗和(he)開(kai)(kai)關(guan)損耗，從而提升20kHz以下硬開(kai)(kai)關(guan)電路的(de)(de)(de)能效，包括各種工業電機(ji)驅動器，準許低(di)(di)(di)功率應用(yong)無需使用(yong)散(san)熱器。此外，優化(hua)的(de)(de)(de)開(kai)(kai)關(guan)di/dt和(he)dV/dt上升速率確保EMI干擾處于一(yi)個較低(di)(di)(di)的(de)(de)(de)級別(bie)，可以進(jin)一(yi)步簡化(hua)電路的(de)(de)(de)設計布局。

新(xin)模塊的(de)最高額定結(jie)溫(wen)是150°C，取得了UL 1557認證(zheng)，電絕緣級別高達1500Vrms/min。